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Vistas:0 Autor:Editor del sitio Hora de publicación: 2026-02-04 Origen:Sitio
Términos principales para el diodo láser
| Término | Símbolo | Explicación |
|---|---|---|
| Oscilación láser | - | Esto se refiere a la generación de luz intensa y coherente (luz láser) suministrando energía al medio y reflejando/amplificando la luz en un resonador. |
| Espectro | - | Longitudes de onda entre 375 y 980 nm cuál es el rango de ondas electromagnéticas que son visibles para el ojo humano. En orden creciente de longitud de onda, se denominan violeta, índigo, azul, verde, amarillo, naranja y rojo. |
| de luz visible | - | La distribución de intensidad de las ondas electromagnéticas por longitud de onda obtenida a través de un espectrómetro. El espectro varía según el material semiconductor compuesto y el diseño de la capa activa. |
| Coherencia | - | Se refiere a una propiedad de la luz, que indica el grado de interferencia entre las ondas luminosas (la alineación de sus fases). La luz láser es un excelente ejemplo de luz coherente. |
| Modo de haz | - | Esto se refiere a la forma y distribución espectral de la luz emitida por un LD. Hay modos transversales únicos y modos transversales múltiples. |
| Modo transversal único (modo único) | - | Modo en el que la forma del rayo láser es elíptica y el espectro se concentra en el centro. La calidad del haz es buena, pero la salida es baja. |
| Modos transversales múltiples (modo múltiple) | - | Modo en el que la forma del haz es elíptica o consta de múltiples formas circulares, con múltiples picos espectrales. |
| Clasificaciones máximas absolutas | - | El límite que nunca se debe superar al conducir el LD. Incluso un exceso momentáneo puede causar daños al LD o provocar una disminución significativa del rendimiento. |
| Salida óptica | - | La cantidad de luz emitida por el LD. Dependiendo del método de salida, se divide en salida óptica CW (onda continua) y salida óptica pulsada. |
| WPE (eficiencia de enchufe de pared) | - | Este es un indicador de la eficiencia de conversión de energía. Esto se refiere a un indicador que representa la eficiencia de emisión del LD. La unidad se expresa como porcentaje (%). |
| Temperatura ambiente | Ejército de reserva | Esto se refiere a la temperatura del aire ambiente alrededor del LD. La exposición prolongada a altas temperaturas puede afectar la LD, por lo que es importante mantener baja la temperatura ambiente. |
| Temperatura de la caja | tc | La temperatura del vástago o marco CAN. La ubicación de la medición se especifica en la hoja de especificaciones. La temperatura cuando el LD está encendido (temperatura de funcionamiento) también lo es. |
| Temperatura de unión | tj | La temperatura del chip láser, que es la fuente de calor. Es importante controlar la temperatura ambiente y la temperatura de la caja para mantener baja la temperatura de la unión. |
| Resistencia térmica | Rth | Este es un indicador utilizado para evaluar el rendimiento de disipación de calor, que representa la dificultad de la transferencia de calor. Se utiliza en expresiones como 'la resistencia térmica entre la temperatura ambiente y la temperatura de la caja es alta'. |
| Umbral de corriente Corriente | Con todo | Esto se refiere a la corriente mínima requerida para que el LD emita luz. Cuando se excede la corriente umbral, la salida óptica aumenta rápidamente. |
| de operación | Pio | Esto se refiere a la corriente directa requerida para que el LD funcione normalmente. A menudo se utiliza en el 'gráfico IL', que muestra la correlación entre la corriente y la salida óptica. |
| Voltaje de operación | Vop | Este es el voltaje directo requerido para que un semiconductor LD funcione normalmente. A menudo se utiliza en 'gráficos IV' para mostrar la correlación con la corriente de funcionamiento. |
| Corriente directa | Si | Esto se refiere al voltaje directo requerido para que el LD funcione normalmente. A menudo se utiliza en el 'gráfico IV', que muestra la correlación entre la corriente de funcionamiento y el voltaje. |
| Voltaje | vf | Esto se refiere al voltaje aplicado de acuerdo con la polaridad del LD. |
| directo Emisión pico Longitud de onda | λp | Esto se refiere a la longitud de onda en la que el LD exhibe la mayor intensidad de emisión durante la oscilación del láser. |
| Ángulo de divergencia del haz | θ//, θ⊥ | Esto se refiere al ángulo de la luz emitida por el LD a la mitad de la intensidad máxima. θ// representa la dirección horizontal. θ⊥ representa la dirección vertical. |
| Eje de radiación sincrotrón Posición de compensación | ⊿x, ⊿y, ⊿z | Esto se refiere al desplazamiento de la posición del chip láser en las direcciones x, y y z. ⊿x y ⊿y representan el desplazamiento desde el centro del paquete, mientras que ⊿z representa el desplazamiento desde el plano de referencia. |
| Eje de radiación sincrotrón Desviación Ángulo | ⊿θ//, ⊿θ⊥ | Esto se refiere a la desalineación del eje óptico con respecto al plano de referencia. ⊿θ// representa la dirección horizontal y ⊿θ⊥ representa la dirección vertical. |
| Pendiente Eficiencia | ηd | Esto se refiere al aumento promedio en la salida óptica por unidad de corriente de accionamiento en la región de oscilación del láser. Corresponde a la pendiente en el 'gráfico IL'. |
| Índice de torsión | K-LI | Esto se refiere al cambio de pendiente cuando la correlación entre la corriente operativa y la salida óptica se dobla en algún punto. Nuestra empresa lo define dentro de un rango que tiene sólo un pequeño impacto en el diseño óptico en la hoja de especificaciones. |
| Patrón de interferencia Relación de intensidad | α | Este es un parámetro que representa la coherencia de la luz láser. Se expresa por la tasa de atenuación de la claridad de las franjas de interferencia cuando se forman. |